| Fabricant | |
| Référence Fabricant | BC848A |
| Référence EBEE | E82859146 |
| Boîtier | TO-236-3 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | 30V 300mW 110@2mA,5V 100mA NPN TO-236-3 Bipolar (BJT) ROHS |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 50+ | $0.0209 | $ 1.0450 |
| 500+ | $0.0169 | $ 8.4500 |
| 3000+ | $0.0137 | $ 41.1000 |
| 6000+ | $0.0123 | $ 73.8000 |
| 24000+ | $0.0112 | $ 268.8000 |
| 51000+ | $0.0106 | $ 540.6000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Single Bipolar Transistors | |
| Fiche Technique | ST(Semtech) BC848A | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | - | |
| Courant du collecteur (Ic) | 100mA | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 300mW | |
| Courant de découpage de collectionneur (Icbo) | 15nA | |
| Tension de rupture collector-émetteur (Vceo) | 30V | |
| Gain de courant continu (hFE-Ic,Vce) | 110@2mA,5V | |
| Fréquence de transition (fT) | 300MHz | |
| Tension de saturation des émetteurs de collection (VCE(sat)-Ic,Ib) | 600mV@100mA,5mA | |
| Type de transistor | NPN |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 50+ | $0.0209 | $ 1.0450 |
| 500+ | $0.0169 | $ 8.4500 |
| 3000+ | $0.0137 | $ 41.1000 |
| 6000+ | $0.0123 | $ 73.8000 |
| 24000+ | $0.0112 | $ 268.8000 |
| 51000+ | $0.0106 | $ 540.6000 |
