| Fabricant | |
| Référence Fabricant | 9014C |
| Référence EBEE | E8118554 |
| Boîtier | TO-92-3 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | 45V 450mW 200@1mA,5V 100mA NPN TO-92-3 Bipolar (BJT) ROHS |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 50+ | $0.0192 | $ 0.9600 |
| 500+ | $0.0154 | $ 7.7000 |
| 2000+ | $0.0121 | $ 24.2000 |
| 5000+ | $0.0108 | $ 54.0000 |
| 25000+ | $0.0097 | $ 242.5000 |
| 50000+ | $0.0091 | $ 455.0000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Single Bipolar Transistors | |
| Fiche Technique | ST(Semtech) 9014C | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | - | |
| Courant du collecteur (Ic) | 100mA | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 450mW | |
| Courant de découpage de collectionneur (Icbo) | 50nA | |
| Tension de rupture collector-émetteur (Vceo) | 45V | |
| Gain de courant continu (hFE-Ic,Vce) | 200@1mA,5V | |
| Fréquence de transition (fT) | 300MHz | |
| Tension de saturation des émetteurs de collection (VCE(sat)-Ic,Ib) | 250mV@100mA,10mA | |
| Type de transistor | NPN |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 50+ | $0.0192 | $ 0.9600 |
| 500+ | $0.0154 | $ 7.7000 |
| 2000+ | $0.0121 | $ 24.2000 |
| 5000+ | $0.0108 | $ 54.0000 |
| 25000+ | $0.0097 | $ 242.5000 |
| 50000+ | $0.0091 | $ 455.0000 |
