| Fabricant | |
| Référence Fabricant | 2SA1015G |
| Référence EBEE | E8118544 |
| Boîtier | TO-92-3 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | 50V 400mW 150mA PNP TO-92-3 Bipolar (BJT) ROHS |
Veuillez envoyer un RFQ, nous répondrons immédiatement.
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 20+ | $0.0229 | $ 0.4580 |
| 200+ | $0.0184 | $ 3.6800 |
| 1000+ | $0.0145 | $ 14.5000 |
| 2000+ | $0.0130 | $ 26.0000 |
| 10000+ | $0.0117 | $ 117.0000 |
| 20000+ | $0.0110 | $ 220.0000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Single Bipolar Transistors | |
| Fiche Technique | ST(Semtech) 2SA1015G | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | - | |
| Courant du collecteur (Ic) | 150mA | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 400mW | |
| Courant de découpage de collectionneur (Icbo) | 100nA | |
| Tension de rupture collector-émetteur (Vceo) | 50V | |
| Fréquence de transition (fT) | 80MHz | |
| Tension de saturation des émetteurs de collection (VCE(sat)-Ic,Ib) | 300mV@100mA,10mA | |
| Type de transistor | PNP |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 20+ | $0.0229 | $ 0.4580 |
| 200+ | $0.0184 | $ 3.6800 |
| 1000+ | $0.0145 | $ 14.5000 |
| 2000+ | $0.0130 | $ 26.0000 |
| 10000+ | $0.0117 | $ 117.0000 |
| 20000+ | $0.0110 | $ 220.0000 |
