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Solid State System TIP30
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | TIP30 |
| Référence EBEE | E86880709 |
| Boîtier | TO-220 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 40V 30W 40@200mA,4V 1A PNP TO-220 Bipolar (BJT) ROHS |
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $1.7411 | $ 1.7411 |
| 200+ | $0.6954 | $ 139.0800 |
| 500+ | $0.6710 | $ 335.5000 |
| 1000+ | $0.6606 | $ 660.6000 |
Recommandé Pour Vous
Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Single Bipolar Transistors | |
| Fiche Technique | Solid State System TIP30 | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -65℃~+150℃@(Tj) | |
| Courant du collecteur (Ic) | 1A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 30W | |
| Courant de découpage de collectionneur (Icbo) | 300uA | |
| Tension de rupture collector-émetteur (Vceo) | 40V | |
| Gain de courant continu (hFE-Ic,Vce) | 40@200mA,4V | |
| Fréquence de transition (fT) | 3MHz | |
| Tension de saturation des émetteurs de collection (VCE(sat)-Ic,Ib) | 700mV@125mA,1A | |
| Type de transistor | PNP |
Guide d’achat
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $1.7411 | $ 1.7411 |
| 200+ | $0.6954 | $ 139.0800 |
| 500+ | $0.6710 | $ 335.5000 |
| 1000+ | $0.6606 | $ 660.6000 |
