| Fabricant | |
| Référence Fabricant | 2N6430 |
| Référence EBEE | E85487743 |
| Boîtier | TO-18 |
| Numéro Client | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 200V 500mW 50@30mA,10V 50mA NPN TO-18 Bipolar (BJT) ROHS |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $2.0302 | $ 2.0302 |
| 200+ | $0.8104 | $ 162.0800 |
| 500+ | $0.7842 | $ 392.1000 |
| 1000+ | $0.7703 | $ 770.3000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Single Bipolar Transistors | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -65℃~+200℃@(Tj) | |
| Courant du collecteur (Ic) | 50mA | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 500mW | |
| Courant de découpage de collectionneur (Icbo) | 100nA | |
| Tension de rupture collector-émetteur (Vceo) | 200V | |
| Gain de courant continu (hFE-Ic,Vce) | 50@30mA,10V | |
| Fréquence de transition (fT) | 500MHz | |
| Tension de saturation des émetteurs de collection (VCE(sat)-Ic,Ib) | 500mV@2mA,20mA | |
| Type de transistor | NPN |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $2.0302 | $ 2.0302 |
| 200+ | $0.8104 | $ 162.0800 |
| 500+ | $0.7842 | $ 392.1000 |
| 1000+ | $0.7703 | $ 770.3000 |
