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Solid State System 2N5884
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | 2N5884 |
| Référence EBEE | E85503645 |
| Boîtier | TO-3 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 80V 200W 35@3A,4V 25A PNP TO-3 Bipolar (BJT) ROHS |
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $22.8280 | $ 22.8280 |
| 200+ | $9.1086 | $ 1821.7200 |
| 500+ | $8.8053 | $ 4402.6500 |
| 1000+ | $8.6538 | $ 8653.8000 |
Recommandé Pour Vous
Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Single Bipolar Transistors | |
| Fiche Technique | Solid State System 2N5884 | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -65℃~+200℃@(Tj) | |
| Courant du collecteur (Ic) | 25A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 200W | |
| Courant de découpage de collectionneur (Icbo) | 2mA | |
| Tension de rupture collector-émetteur (Vceo) | 80V | |
| Gain de courant continu (hFE-Ic,Vce) | 35@3A,4V | |
| Fréquence de transition (fT) | 4MHz | |
| Tension de saturation des émetteurs de collection (VCE(sat)-Ic,Ib) | [email protected],25A | |
| Type de transistor | PNP |
Guide d’achat
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $22.8280 | $ 22.8280 |
| 200+ | $9.1086 | $ 1821.7200 |
| 500+ | $8.8053 | $ 4402.6500 |
| 1000+ | $8.6538 | $ 8653.8000 |
