| Fabricant | |
| Référence Fabricant | 2N4924 |
| Référence EBEE | E85487651 |
| Boîtier | TO-39 |
| Numéro Client | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 100V 1W 40@150mA,10V 200mA NPN TO-39 Bipolar (BJT) ROHS |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $1.6224 | $ 1.6224 |
| 200+ | $0.6483 | $ 129.6600 |
| 500+ | $0.6274 | $ 313.7000 |
| 1000+ | $0.6153 | $ 615.3000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Single Bipolar Transistors | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -65℃~+200℃@(Tj) | |
| Courant du collecteur (Ic) | 200mA | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 1W | |
| Courant de découpage de collectionneur (Icbo) | 100nA | |
| Tension de rupture collector-émetteur (Vceo) | 100V | |
| Gain de courant continu (hFE-Ic,Vce) | 40@150mA,10V | |
| Fréquence de transition (fT) | 500MHz | |
| Tension de saturation des émetteurs de collection (VCE(sat)-Ic,Ib) | 400mV@5mA,50mA | |
| Type de transistor | NPN |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $1.6224 | $ 1.6224 |
| 200+ | $0.6483 | $ 129.6600 |
| 500+ | $0.6274 | $ 313.7000 |
| 1000+ | $0.6153 | $ 615.3000 |
