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Solid State System 2N3585
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | 2N3585 |
| Référence EBEE | E87175456 |
| Boîtier | TO-66 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 300V 35W 25@1A,1V 2A NPN TO-66 Bipolar (BJT) ROHS |
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $15.0675 | $ 15.0675 |
| 200+ | $6.0124 | $ 1202.4800 |
| 500+ | $5.8120 | $ 2906.0000 |
| 1000+ | $5.7126 | $ 5712.6000 |
Recommandé Pour Vous
Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Single Bipolar Transistors | |
| Fiche Technique | Solid State System 2N3585 | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -65℃~+200℃@(Tj) | |
| Courant du collecteur (Ic) | 2A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 35W | |
| Courant de découpage de collectionneur (Icbo) | 5mA | |
| Tension de rupture collector-émetteur (Vceo) | 300V | |
| Gain de courant continu (hFE-Ic,Vce) | 25@1A,1V | |
| Tension de saturation des émetteurs de collection (VCE(sat)-Ic,Ib) | 750mV@125mA,1A | |
| Type de transistor | NPN |
Guide d’achat
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $15.0675 | $ 15.0675 |
| 200+ | $6.0124 | $ 1202.4800 |
| 500+ | $5.8120 | $ 2906.0000 |
| 1000+ | $5.7126 | $ 5712.6000 |
