| Fabricant | |
| Référence Fabricant | 2N3110 |
| Référence EBEE | E86996971 |
| Boîtier | TO-39 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 40V 800mW 40@150mA,1V 1A NPN TO-39 Bipolar (BJT) ROHS |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $2.6106 | $ 2.6106 |
| 200+ | $1.0422 | $ 208.4400 |
| 500+ | $1.0074 | $ 503.7000 |
| 1000+ | $0.9899 | $ 989.9000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Single Bipolar Transistors | |
| Fiche Technique | Solid State System 2N3110 | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -65℃~+200℃@(Tj) | |
| Courant du collecteur (Ic) | 1A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 800mW | |
| Courant de découpage de collectionneur (Icbo) | 10nA | |
| Tension de rupture collector-émetteur (Vceo) | 40V | |
| Gain de courant continu (hFE-Ic,Vce) | 40@150mA,1V | |
| Fréquence de transition (fT) | 60MHz | |
| Tension de saturation des émetteurs de collection (VCE(sat)-Ic,Ib) | 1V@100mA,1A | |
| Type de transistor | NPN |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $2.6106 | $ 2.6106 |
| 200+ | $1.0422 | $ 208.4400 |
| 500+ | $1.0074 | $ 503.7000 |
| 1000+ | $0.9899 | $ 989.9000 |
