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Solid State System 2N3019
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | 2N3019 |
| Référence EBEE | E85487529 |
| Boîtier | TO-39 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 80V 800mW 100@150mA,10V 1A NPN TO-39 Bipolar (BJT) ROHS |
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $1.5231 | $ 1.5231 |
| 200+ | $0.6082 | $ 121.6400 |
| 500+ | $0.5873 | $ 293.6500 |
| 1000+ | $0.5786 | $ 578.6000 |
Recommandé Pour Vous
Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Single Bipolar Transistors | |
| Fiche Technique | Solid State System 2N3019 | |
| RoHS | ||
| Courant du collecteur (Ic) | 1A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 800mW | |
| Courant de découpage de collectionneur (Icbo) | 10nA | |
| Tension de rupture collector-émetteur (Vceo) | 80V | |
| Gain de courant continu (hFE-Ic,Vce) | 100@150mA,10V | |
| Fréquence de transition (fT) | 100MHz | |
| Tension de saturation des émetteurs de collection (VCE(sat)-Ic,Ib) | 500mV@50mA,500mA | |
| Type de transistor | NPN |
Guide d’achat
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $1.5231 | $ 1.5231 |
| 200+ | $0.6082 | $ 121.6400 |
| 500+ | $0.5873 | $ 293.6500 |
| 1000+ | $0.5786 | $ 578.6000 |
