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Solid State System 2N2102
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | 2N2102 |
| Référence EBEE | E85487511 |
| Boîtier | TO-39 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 65V 1mW 40@150mA,10V 1A NPN TO-39 Bipolar (BJT) ROHS |
Ces matériaux prennent en charge les câbles personnalisés !
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $1.5231 | $ 1.5231 |
| 200+ | $0.6082 | $ 121.6400 |
| 500+ | $0.5873 | $ 293.6500 |
| 1000+ | $0.5786 | $ 578.6000 |
Recommandé Pour Vous
Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Single Bipolar Transistors | |
| Fiche Technique | Solid State System 2N2102 | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -65℃~+200℃@(Tj) | |
| Courant du collecteur (Ic) | 1A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 1mW | |
| Courant de découpage de collectionneur (Icbo) | 2nA | |
| Tension de rupture collector-émetteur (Vceo) | 65V | |
| Gain de courant continu (hFE-Ic,Vce) | 40@150mA,10V | |
| Fréquence de transition (fT) | 60MHz | |
| Tension de saturation des émetteurs de collection (VCE(sat)-Ic,Ib) | 500mV@15mA,150mA | |
| Type de transistor | NPN |
Guide d’achat
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $1.5231 | $ 1.5231 |
| 200+ | $0.6082 | $ 121.6400 |
| 500+ | $0.5873 | $ 293.6500 |
| 1000+ | $0.5786 | $ 578.6000 |
