| Fabricant | |
| Référence Fabricant | GH16P32B8C |
| Référence EBEE | E8473924 |
| Boîtier | - |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 2.3V 660nm 42mA 120mA Laser Diodes ROHS |
Veuillez envoyer un RFQ, nous répondrons immédiatement.
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $1.1431 | $ 1.1431 |
| 10+ | $0.9604 | $ 9.6040 |
| 30+ | $0.8680 | $ 26.0400 |
| 100+ | $0.7775 | $ 77.7500 |
| 500+ | $0.6035 | $ 301.7500 |
| 1000+ | $0.5751 | $ 575.1000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Optoélectronique ,Diodes laser | |
| Fiche Technique | Sharp Microelectronics GH16P32B8C | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -10℃~+70℃ | |
| Tension de fonctionnement | 2.3V | |
| Courant opérationnel | 120mA | |
| Longueur d'onde | 660nm | |
| Courant du seuil | 42mA | |
| Angle | 9.3°@Horizontal;15°@Vertical |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $1.1431 | $ 1.1431 |
| 10+ | $0.9604 | $ 9.6040 |
| 30+ | $0.8680 | $ 26.0400 |
| 100+ | $0.7775 | $ 77.7500 |
| 500+ | $0.6035 | $ 301.7500 |
| 1000+ | $0.5751 | $ 575.1000 |
