| Fabricant | |
| Référence Fabricant | PNT523T503E0-2 |
| Référence EBEE | E8110719 |
| Boîtier | SOT-523-3 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | 50V 150mW 200@1mA,6V 150mA NPN SOT-523-3 Bipolar (BJT) ROHS |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 20+ | $0.0353 | $ 0.7060 |
| 200+ | $0.0282 | $ 5.6400 |
| 600+ | $0.0243 | $ 14.5800 |
| 3000+ | $0.0219 | $ 65.7000 |
| 9000+ | $0.0198 | $ 178.2000 |
| 21000+ | $0.0187 | $ 392.7000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,Bipolaire (BJT) | |
| Fiche Technique | Shanghai Prisemi Elec PNT523T503E0-2 | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | - | |
| Courant du collecteur (Ic) | 150mA | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 150mW | |
| Courant de découpage de collectionneur (Icbo) | 100nA | |
| Tension de rupture collector-émetteur (Vceo) | 50V | |
| Gain de courant continu (hFE-Ic,Vce) | 200@1mA,6V | |
| Fréquence de transition (fT) | 200MHz | |
| Tension de saturation des émetteurs de collection (VCE(sat)-Ic,Ib) | 80mV@50mA,5mA | |
| Type de transistor | NPN |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 20+ | $0.0353 | $ 0.7060 |
| 200+ | $0.0282 | $ 5.6400 |
| 600+ | $0.0243 | $ 14.5800 |
| 3000+ | $0.0219 | $ 65.7000 |
| 9000+ | $0.0198 | $ 178.2000 |
| 21000+ | $0.0187 | $ 392.7000 |
