| Fabricant | |
| Référence Fabricant | IMX8T108 |
| Référence EBEE | E82840176 |
| Boîtier | SOT-457 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 120V 300mW 180@2mA,6V 50mA NPN SOT-457 Bipolar (BJT) ROHS |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 5+ | $0.0776 | $ 0.3880 |
| 50+ | $0.0688 | $ 3.4400 |
| 150+ | $0.0643 | $ 9.6450 |
| 500+ | $0.0610 | $ 30.5000 |
| 3000+ | $0.0583 | $ 174.9000 |
| 6000+ | $0.0569 | $ 341.4000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,Bipolaire (BJT) | |
| Fiche Technique | ROHM Semicon IMX8T108 | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Type de transistor | NPN | |
| Courant du collecteur (Ic) | 50mA | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 300mW | |
| Courant de découpage de collectionneur (Icbo) | 500nA | |
| Tension de rupture collector-émetteur (Vceo) | 120V | |
| Gain de courant continu (hFE-Ic,Vce) | 180@2mA,6V | |
| Fréquence de transition (fT) | 140MHz | |
| Tension de saturation des émetteurs de collection (VCE(sat)-Ic,Ib) | 500mV@10mA,1mA |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 5+ | $0.0776 | $ 0.3880 |
| 50+ | $0.0688 | $ 3.4400 |
| 150+ | $0.0643 | $ 9.6450 |
| 500+ | $0.0610 | $ 30.5000 |
| 3000+ | $0.0583 | $ 174.9000 |
| 6000+ | $0.0569 | $ 341.4000 |
