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ROHM Semicon IMX8T108


Fabricant
Référence Fabricant
IMX8T108
Référence EBEE
E82840176
Boîtier
SOT-457
Numéro Client
Fiche Technique
Modèles EDA
ECCN
EAR99
Description
120V 300mW 180@2mA,6V 50mA NPN SOT-457 Bipolar (BJT) ROHS
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50+$0.0688$ 3.4400
150+$0.0643$ 9.6450
500+$0.0610$ 30.5000
3000+$0.0583$ 174.9000
6000+$0.0569$ 341.4000
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TypeDescription
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CatégorieTransistors/Thyistors ,Bipolaire (BJT)
Fiche TechniqueROHM Semicon IMX8T108
RoHS
Température de fonctionnement-55℃~+150℃
Type de transistorNPN
Courant du collecteur (Ic)50mA
Dissipation de puissance (Pd)300mW
Courant de découpage de collectionneur (Icbo)500nA
Tension de rupture collector-émetteur (Vceo)120V
Gain de courant continu (hFE-Ic,Vce)180@2mA,6V
Fréquence de transition (fT)140MHz
Tension de saturation des émetteurs de collection (VCE(sat)-Ic,Ib)500mV@10mA,1mA

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