| Fabricant | |
| Référence Fabricant | EMX2T2R |
| Référence EBEE | E82766154 |
| Boîtier | SOT-563 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 50V 150mW 120@1mA,6V 150mA NPN SOT-563 Bipolar (BJT) ROHS |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 10+ | $0.0508 | $ 0.5080 |
| 100+ | $0.0443 | $ 4.4300 |
| 300+ | $0.0409 | $ 12.2700 |
| 1000+ | $0.0385 | $ 38.5000 |
| 5000+ | $0.0366 | $ 183.0000 |
| 8000+ | $0.0355 | $ 284.0000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,Bipolaire (BJT) | |
| Fiche Technique | ROHM Semicon EMX2T2R | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -40℃~+150℃ | |
| Type de transistor | NPN | |
| Courant du collecteur (Ic) | 150mA | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 150mW | |
| Courant de découpage de collectionneur (Icbo) | 100nA | |
| Tension de rupture collector-émetteur (Vceo) | 50V | |
| Gain de courant continu (hFE-Ic,Vce) | 120@1mA,6V | |
| Fréquence de transition (fT) | 180MHz | |
| Tension de saturation des émetteurs de collection (VCE(sat)-Ic,Ib) | 400mV@50mA,5mA |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 10+ | $0.0508 | $ 0.5080 |
| 100+ | $0.0443 | $ 4.4300 |
| 300+ | $0.0409 | $ 12.2700 |
| 1000+ | $0.0385 | $ 38.5000 |
| 5000+ | $0.0366 | $ 183.0000 |
| 8000+ | $0.0355 | $ 284.0000 |
