| Fabricant | |
| Référence Fabricant | 2SD2170T100 |
| Référence EBEE | E8308660 |
| Boîtier | SC-62 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 1000@2V,1A 90V NPN 2A 2W SC-62 Darlington Transistors ROHS |
Veuillez envoyer un RFQ, nous répondrons immédiatement.
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 5+ | $0.2062 | $ 1.0310 |
| 50+ | $0.1795 | $ 8.9750 |
| 150+ | $0.1680 | $ 25.2000 |
| 1000+ | $0.1464 | $ 146.4000 |
| 2000+ | $0.1400 | $ 280.0000 |
| 5000+ | $0.1362 | $ 681.0000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,Transistors Darlington | |
| Fiche Technique | ROHM Semicon 2SD2170T100 | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | - | |
| Type de transistor | NPN | |
| Courant du collecteur (Ic) | 2A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 2W | |
| gain de courant continu (hFE-Vce, Ic) | 1000@2V,1A | |
| Tension collector-émetteur (Vcéo) | 90V | |
| Fréquence de transition (fT) | 80MHz | |
| Courant de coupure du collecteur (Icbo-Vcb) | 10uA@70V | |
| Tension de saturation collecteur-émetteur (VCE(sat)-Ic,Ib) | 1.5V@1A,1mA |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 5+ | $0.2062 | $ 1.0310 |
| 50+ | $0.1795 | $ 8.9750 |
| 150+ | $0.1680 | $ 25.2000 |
| 1000+ | $0.1464 | $ 146.4000 |
| 2000+ | $0.1400 | $ 280.0000 |
| 5000+ | $0.1362 | $ 681.0000 |
