| Fabricant | |
| Référence Fabricant | 2SD1782KT146R |
| Référence EBEE | E886593 |
| Boîtier | TO-236-3(SOT-23-3) |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 80V 200mW 120@100mA,3V 500mA NPN TO-236-3(SOT-23-3) Bipolar (BJT) ROHS |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 5+ | $0.0845 | $ 0.4225 |
| 50+ | $0.0675 | $ 3.3750 |
| 150+ | $0.0591 | $ 8.8650 |
| 500+ | $0.0527 | $ 26.3500 |
| 3000+ | $0.0476 | $ 142.8000 |
| 6000+ | $0.0451 | $ 270.6000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,Bipolaire (BJT) | |
| Fiche Technique | ROHM Semicon 2SD1782KT146R | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Courant du collecteur (Ic) | 500mA | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 200mW | |
| Courant de découpage de collectionneur (Icbo) | 500nA | |
| Tension de rupture collector-émetteur (Vceo) | 80V | |
| Gain de courant continu (hFE-Ic,Vce) | 120@100mA,3V | |
| Fréquence de transition (fT) | 120MHz | |
| Tension de saturation des émetteurs de collection (VCE(sat)-Ic,Ib) | 200mV@500mA,50mA | |
| Type de transistor | NPN |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 5+ | $0.0845 | $ 0.4225 |
| 50+ | $0.0675 | $ 3.3750 |
| 150+ | $0.0591 | $ 8.8650 |
| 500+ | $0.0527 | $ 26.3500 |
| 3000+ | $0.0476 | $ 142.8000 |
| 6000+ | $0.0451 | $ 270.6000 |
