| Fabricant | |
| Référence Fabricant | 2SC5876U3T106Q |
| Référence EBEE | E8509800 |
| Boîtier | SOT-323 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 60V 200mW 120@50mA,2V 500mA NPN SOT-323 Bipolar (BJT) ROHS |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1448 | $ 0.7240 |
| 50+ | $0.1275 | $ 6.3750 |
| 150+ | $0.1202 | $ 18.0300 |
| 500+ | $0.1110 | $ 55.5000 |
| 3000+ | $0.1070 | $ 321.0000 |
| 6000+ | $0.1044 | $ 626.4000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,Bipolaire (BJT) | |
| Fiche Technique | ROHM Semicon 2SC5876U3T106Q | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Type de transistor | NPN | |
| Courant du collecteur (Ic) | 500mA | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 200mW | |
| Courant de découpage de collectionneur (Icbo) | 1uA | |
| Tension de rupture collector-émetteur (Vceo) | 60V | |
| Gain de courant continu (hFE-Ic,Vce) | 120@50mA,2V | |
| Fréquence de transition (fT) | 300MHz | |
| Tension de saturation des émetteurs de collection (VCE(sat)-Ic,Ib) | 150mV@100mA,10mA |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1448 | $ 0.7240 |
| 50+ | $0.1275 | $ 6.3750 |
| 150+ | $0.1202 | $ 18.0300 |
| 500+ | $0.1110 | $ 55.5000 |
| 3000+ | $0.1070 | $ 321.0000 |
| 6000+ | $0.1044 | $ 626.4000 |
