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PJSEMI PJM01N20KDC
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | PJM01N20KDC |
| Référence EBEE | E82981470 |
| Boîtier | DFN-3L(1x0.6) |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| Description | 20V 800mA 350mW 300mΩ@4.5V,0.6A 1.1V@250uA 1 N-Channel DFN-3L(1x0.6) MOSFETs ROHS |
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
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|---|---|---|
| 20+ | $0.0269 | $ 0.5380 |
| 200+ | $0.0208 | $ 4.1600 |
| 600+ | $0.0174 | $ 10.4400 |
| 2000+ | $0.0153 | $ 30.6000 |
| 10000+ | $0.0129 | $ 129.0000 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,MOSFET | |
| Fiche Technique | PJSEMI PJM01N20KDC | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| RDS (on) | 700mΩ@1.8V | |
| Température de fonctionnement | - | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 2.5pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 350mW | |
| Drain to Source Voltage | 20V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.1V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 800mA | |
| Ciss-Input Capacitance | 56pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 20pF | |
| Gate Charge(Qg) | [email protected] |
Guide d’achat
Développer
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| 200+ | $0.0208 | $ 4.1600 |
| 600+ | $0.0174 | $ 10.4400 |
| 2000+ | $0.0153 | $ 30.6000 |
| 10000+ | $0.0129 | $ 129.0000 |
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