Recommonended For You
Les images sont à titre indicatif uniquement
Ajouter aux favoris
PJSEMI DTC114EDC
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | DTC114EDC |
| Référence EBEE | E83000402 |
| Boîtier | DFN-3L(1x0.6) |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | 50@10mA,5V 1 NPN - bias preset 200mW 100mA 50V DFN-3L(1x0.6) Digital Transistors ROHS |
Ces matériaux prennent en charge les câbles personnalisés !
En savoir plus >>En stock : Veuillez vous renseigner
Veuillez envoyer un RFQ, nous répondrons immédiatement.
Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 20+ | $0.0313 | $ 0.6260 |
| 200+ | $0.0247 | $ 4.9400 |
| 600+ | $0.0212 | $ 12.7200 |
| 2000+ | $0.0190 | $ 38.0000 |
| 10000+ | $0.0162 | $ 162.0000 |
| 20000+ | $0.0152 | $ 304.0000 |
Recommandé Pour Vous
Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,Transistors numériques | |
| Fiche Technique | PJSEMI DTC114EDC | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | - | |
| Type de transistor | 1 NPN - bias preset | |
| Courant du collecteur (Ic) | 100mA | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 200mW | |
| Tension de rupture collector-émetteur (Vceo) | 50V | |
| Gain de courant continu (hFE-Ic,Vce) | 50@10mA,5V | |
| Tension de sortie (VO(on)-Io/Ii) | 300mV@10mA,0.5mA | |
| Résisteur d'entrée | - | |
| Rapport de résistance | - | |
| Tension d'entrée (VI(on)-Ic,Vce) | 2.4V@5mA,0.2V | |
| Tension d'entrée (VI(off)-Ic,Vce) | [email protected],5V |
Guide d’achat
Développer
En stock : Veuillez vous renseigner
Veuillez envoyer un RFQ, nous répondrons immédiatement.
Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 20+ | $0.0313 | $ 0.6260 |
| 200+ | $0.0247 | $ 4.9400 |
| 600+ | $0.0212 | $ 12.7200 |
| 2000+ | $0.0190 | $ 38.0000 |
| 10000+ | $0.0162 | $ 162.0000 |
| 20000+ | $0.0152 | $ 304.0000 |
