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PJSEMI BAS70DB
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | BAS70DB |
| Référence EBEE | E83000408 |
| Boîtier | DFN1006-2L |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | 70V Independent Type 70mA 410mV@1mA DFN1006-2L Schottky Diodes ROHS |
Ces matériaux prennent en charge les câbles personnalisés !
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
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| 200+ | $0.0193 | $ 3.8600 |
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| 2000+ | $0.0146 | $ 29.2000 |
| 10000+ | $0.0125 | $ 125.0000 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Diodes ,Diodes Schottky | |
| Fiche Technique | PJSEMI BAS70DB | |
| RoHS | ||
| Courant de fuite inverse (Ir) | 100nA@50V | |
| Configuration à diode | Independent | |
| Tension - marche arrière (Vr) (Max) | 70V | |
| Voltage - Forward(Vf@If) | 410mV@1mA | |
| Current - Rectified | 70mA | |
| Non-Repetitive Peak Forward Surge Current | 100mA |
Guide d’achat
Développer
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| 600+ | $0.0164 | $ 9.8400 |
| 2000+ | $0.0146 | $ 29.2000 |
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