| Fabricant | |
| Référence Fabricant | BAS40DB |
| Référence EBEE | E83000407 |
| Boîtier | DFN1006-2L |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| Description | 40V Independent Type 200mA 1V@40mA DFN1006-2L Schottky Diodes ROHS |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 20+ | $0.0233 | $ 0.4660 |
| 200+ | $0.0180 | $ 3.6000 |
| 600+ | $0.0151 | $ 9.0600 |
| 2000+ | $0.0133 | $ 26.6000 |
| 10000+ | $0.0112 | $ 112.0000 |
| 20000+ | $0.0104 | $ 208.0000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Diodes ,Diodes Schottky | |
| Fiche Technique | PJSEMI BAS40DB | |
| RoHS | ||
| Courant de fuite inverse (Ir) | 200nA@30V | |
| Configuration à diode | Independent | |
| Tension - marche arrière (Vr) (Max) | 40V | |
| Voltage - Forward(Vf@If) | 1V@40mA | |
| Current - Rectified | 200mA | |
| Non-Repetitive Peak Forward Surge Current | 250mA |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 20+ | $0.0233 | $ 0.4660 |
| 200+ | $0.0180 | $ 3.6000 |
| 600+ | $0.0151 | $ 9.0600 |
| 2000+ | $0.0133 | $ 26.6000 |
| 10000+ | $0.0112 | $ 112.0000 |
| 20000+ | $0.0104 | $ 208.0000 |
