| Fabricant | |
| Référence Fabricant | 2N2222AUA |
| Référence EBEE | E83198410 |
| Boîtier | SMD |
| Numéro Client | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 50V 500mW 75@1mA,10V 800mA NPN SMD Bipolar (BJT) ROHS |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $68.4163 | $ 68.4163 |
| 200+ | $26.4761 | $ 5295.2200 |
| 500+ | $25.5463 | $ 12773.1500 |
| 1000+ | $25.0868 | $ 25086.8000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,Bipolaire (BJT) | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -65℃~+200℃@(Tj) | |
| Courant du collecteur (Ic) | 800mA | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 500mW | |
| Courant de découpage de collectionneur (Icbo) | 50nA | |
| Tension de rupture collector-émetteur (Vceo) | 50V | |
| Gain de courant continu (hFE-Ic,Vce) | 75@1mA,10V | |
| Fréquence de transition (fT) | - | |
| Tension de saturation des émetteurs de collection (VCE(sat)-Ic,Ib) | 1V@500mA,50mA | |
| Type de transistor | NPN |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $68.4163 | $ 68.4163 |
| 200+ | $26.4761 | $ 5295.2200 |
| 500+ | $25.5463 | $ 12773.1500 |
| 1000+ | $25.0868 | $ 25086.8000 |
