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onsemi TIP49
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | TIP49 |
| Référence EBEE | E8900123 |
| Boîtier | TO-220-3L |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 350V 40W 30@300mA,10V 1A NPN TO-220-3L Bipolar (BJT) ROHS |
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $0.1576 | $ 0.1576 |
| 200+ | $0.0610 | $ 12.2000 |
| 500+ | $0.0589 | $ 29.4500 |
| 1200+ | $0.0578 | $ 69.3600 |
Recommandé Pour Vous
Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Single Bipolar Transistors | |
| Fiche Technique | onsemi TIP49 | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -65℃~+150℃@(Tj) | |
| Courant du collecteur (Ic) | 1A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 40W | |
| Courant de découpage de collectionneur (Icbo) | 1mA | |
| Tension de rupture collector-émetteur (Vceo) | 350V | |
| Gain de courant continu (hFE-Ic,Vce) | 30@300mA,10V | |
| Fréquence de transition (fT) | 10MHz | |
| Tension de saturation des émetteurs de collection (VCE(sat)-Ic,Ib) | 1V@200mA,1A | |
| Type de transistor | NPN |
Guide d’achat
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $0.1576 | $ 0.1576 |
| 200+ | $0.0610 | $ 12.2000 |
| 500+ | $0.0589 | $ 29.4500 |
| 1200+ | $0.0578 | $ 69.3600 |
