Recommonended For You
Les images sont à titre indicatif uniquement
Ajouter aux favoris
onsemi TIP35B
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | TIP35B |
| Référence EBEE | E83200826 |
| Boîtier | TO-218 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 80V 125W 10@15A,4V 25A NPN TO-218 Bipolar (BJT) ROHS |
Ces matériaux prennent en charge les câbles personnalisés !
En savoir plus >>En stock : Veuillez vous renseigner
Veuillez envoyer un RFQ, nous répondrons immédiatement.
Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $2.7966 | $ 2.7966 |
| 200+ | $1.0825 | $ 216.5000 |
| 500+ | $1.0452 | $ 522.6000 |
| 1000+ | $1.0257 | $ 1025.7000 |
Recommandé Pour Vous
Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | ||
| Fiche Technique | onsemi TIP35B | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -65℃~+150℃@(Tj) | |
| Courant du collecteur (Ic) | 25A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 125W | |
| Courant de découpage de collectionneur (Icbo) | - | |
| Tension de rupture collector-émetteur (Vceo) | 80V | |
| Gain de courant continu (hFE-Ic,Vce) | 10@15A,4V | |
| Fréquence de transition (fT) | 3MHz | |
| Tension de saturation des émetteurs de collection (VCE(sat)-Ic,Ib) | - | |
| Type de transistor | NPN |
Guide d’achat
Développer
En stock : Veuillez vous renseigner
Veuillez envoyer un RFQ, nous répondrons immédiatement.
Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $2.7966 | $ 2.7966 |
| 200+ | $1.0825 | $ 216.5000 |
| 500+ | $1.0452 | $ 522.6000 |
| 1000+ | $1.0257 | $ 1025.7000 |
