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onsemi TIP32
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | TIP32 |
| Référence EBEE | E83200932 |
| Boîtier | TO-220-3 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 40V 2W 10@3A,4V 3A PNP TO-220-3 Bipolar (BJT) ROHS |
Ces matériaux prennent en charge les câbles personnalisés !
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $0.5483 | $ 0.5483 |
| 200+ | $0.2130 | $ 42.6000 |
| 500+ | $0.2059 | $ 102.9500 |
| 1000+ | $0.2023 | $ 202.3000 |
Recommandé Pour Vous
Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Single Bipolar Transistors | |
| Fiche Technique | onsemi TIP32 | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | - | |
| Courant du collecteur (Ic) | 3A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 2W | |
| Courant de découpage de collectionneur (Icbo) | 300uA | |
| Tension de rupture collector-émetteur (Vceo) | 40V | |
| Gain de courant continu (hFE-Ic,Vce) | 10@3A,4V | |
| Fréquence de transition (fT) | 3MHz | |
| Tension de saturation des émetteurs de collection (VCE(sat)-Ic,Ib) | 1.2V@3A,375mA | |
| Type de transistor | PNP |
Guide d’achat
Développer
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $0.5483 | $ 0.5483 |
| 200+ | $0.2130 | $ 42.6000 |
| 500+ | $0.2059 | $ 102.9500 |
| 1000+ | $0.2023 | $ 202.3000 |
