| Fabricant | |
| Référence Fabricant | TIP141 |
| Référence EBEE | E83200828 |
| Boîtier | TO-218 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 80V 125W 1000@5A,4V 10A NPN TO-218 Bipolar (BJT) ROHS |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $3.0698 | $ 3.0698 |
| 200+ | $1.1889 | $ 237.7800 |
| 500+ | $1.1463 | $ 573.1500 |
| 1000+ | $1.1268 | $ 1126.8000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | ||
| Fiche Technique | onsemi TIP141 | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -65℃~+150℃@(Tj) | |
| Courant du collecteur (Ic) | 10A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 125W | |
| Courant de découpage de collectionneur (Icbo) | - | |
| Tension de rupture collector-émetteur (Vceo) | 80V | |
| Gain de courant continu (hFE-Ic,Vce) | 1000@5A,4V | |
| Fréquence de transition (fT) | - | |
| Tension de saturation des émetteurs de collection (VCE(sat)-Ic,Ib) | - | |
| Type de transistor | NPN |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $3.0698 | $ 3.0698 |
| 200+ | $1.1889 | $ 237.7800 |
| 500+ | $1.1463 | $ 573.1500 |
| 1000+ | $1.1268 | $ 1126.8000 |
