Recommonended For You
Les images sont à titre indicatif uniquement
Ajouter aux favoris
onsemi MUN5330DW1T1G
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | MUN5330DW1T1G |
| Référence EBEE | E8463100 |
| Boîtier | SOT-363 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 3@5mA,10V 1 NPN, 1 PNP-Pre-Biased 250mW 100mA 50V SOT-363 Digital Transistors ROHS |
Ces matériaux prennent en charge les câbles personnalisés !
En savoir plus >>En stock : Veuillez vous renseigner
Veuillez envoyer un RFQ, nous répondrons immédiatement.
Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 10+ | $0.0496 | $ 0.4960 |
| 100+ | $0.0398 | $ 3.9800 |
| 300+ | $0.0348 | $ 10.4400 |
| 3000+ | $0.0312 | $ 93.6000 |
| 6000+ | $0.0283 | $ 169.8000 |
| 9000+ | $0.0268 | $ 241.2000 |
Recommandé Pour Vous
Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyristors ,Digital Transistors | |
| Fiche Technique | onsemi MUN5330DW1T1G | |
| RoHS | ||
| Transistor Type | 1 NPN, 1 PNP-Pre-Biased | |
| Collector Current (Ic) | 100mA | |
| Power Dissipation (Pd) | 250mW | |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 50V | |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 3@5mA,10V |
Guide d’achat
Développer
En stock : Veuillez vous renseigner
Veuillez envoyer un RFQ, nous répondrons immédiatement.
Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 10+ | $0.0496 | $ 0.4960 |
| 100+ | $0.0398 | $ 3.9800 |
| 300+ | $0.0348 | $ 10.4400 |
| 3000+ | $0.0312 | $ 93.6000 |
| 6000+ | $0.0283 | $ 169.8000 |
| 9000+ | $0.0268 | $ 241.2000 |
