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onsemi MMBTA13LT3G
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | MMBTA13LT3G |
| Référence EBEE | E8896777 |
| Boîtier | SOT-23 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 10000@5V,100mA 30V NPN 300mA 225mW SOT-23 Darlington Transistors ROHS |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyristors ,Darlington Transistors | |
| Fiche Technique | onsemi MMBTA13LT3G | |
| RoHS | ||
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| Type | NPN | |
| Collector - Emitter Voltage VCEO | 30V | |
| Current - Collector(Ic) | 300mA | |
| Pd - Power Dissipation | 225mW | |
| DC Current Gain | 10000 | |
| Current - Collector Cutoff | 100nA | |
| Vce Saturation(VCE(sat)) | 1.5V | |
| Transition frequency(fT) | 125MHz |
Guide d’achat
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