Recommonended For You
Les images sont à titre indicatif uniquement
Ajouter aux favoris

onsemi MJD122T4G


Fabricant
Référence Fabricant
MJD122T4G
Référence EBEE
E812789
Boîtier
TO-252-2(DPAK)
Numéro Client
Fiche Technique
Modèles EDA
ECCN
EAR99
Description
100V 1000@4V,4A NPN 8A 1.75W TO-252-2(DPAK) Darlington Transistors ROHS
Ces matériaux prennent en charge les câbles personnalisés !
En savoir plus >>
En stock: 7484
Minimum : 1Multiples : 1
Prix unitaire
$ 0.5870
Prix total
$ 0.5870
Peut être expédié en 1-2 jours ouvrables
Unité de vente : PieceSac complet : 200
Qté.Prix unitairePrix total
1+$0.5870$ 0.5870
10+$0.4847$ 4.8470
30+$0.4345$ 13.0350
100+$0.3842$ 38.4200
500+$0.3375$ 168.7500
1000+$0.3232$ 323.2000
Meilleur prix pour plus de quantité ?
$
TypeDescription
Tout sélectionner
CatégorieTransistors/Thyistors ,Transistors Darlington
Fiche Techniqueonsemi MJD122T4G
RoHS
Température de fonctionnement-65℃~+150℃@(Tj)
Type de transistorNPN
Courant du collecteur (Ic)8A
Dissipation de puissance (Pd)1.75W
gain de courant continu (hFE-Vce, Ic)1000@4V,4A
Tension collector-émetteur (Vcéo)100V
Fréquence de transition (fT)4MHz
Courant de coupure du collecteur (Icbo-Vcb)10uA
Tension de saturation collecteur-émetteur (VCE(sat)-Ic,Ib)4V@8A,80mA

Guide d’achat

Développer