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onsemi MJD117-1G
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | MJD117-1G |
| Référence EBEE | E8146794 |
| Boîtier | DPAK-3 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 100V 1000@3V,2A PNP 2A 1.75W DPAK-3 Darlington Transistors ROHS |
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1264 | $ 0.6320 |
| 50+ | $0.1236 | $ 6.1800 |
| 150+ | $0.1218 | $ 18.2700 |
| 500+ | $0.1201 | $ 60.0500 |
Recommandé Pour Vous
Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,Transistors Darlington | |
| Fiche Technique | onsemi MJD117-1G | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -65℃~+150℃@(Tj) | |
| Type de transistor | PNP | |
| Courant du collecteur (Ic) | 2A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 1.75W | |
| gain de courant continu (hFE-Vce, Ic) | 1000@3V,2A | |
| Tension collector-émetteur (Vcéo) | 100V | |
| Fréquence de transition (fT) | 25MHz | |
| Courant de coupure du collecteur (Icbo-Vcb) | 20uA | |
| Tension de saturation collecteur-émetteur (VCE(sat)-Ic,Ib) | 3V@4A,40mA |
Guide d’achat
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1264 | $ 0.6320 |
| 50+ | $0.1236 | $ 6.1800 |
| 150+ | $0.1218 | $ 18.2700 |
| 500+ | $0.1201 | $ 60.0500 |
