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onsemi HUF75652G3
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | HUF75652G3 |
| Référence EBEE | E8898257 |
| Boîtier | TO-247-3 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 100V 75A 0.008Ω@10V,75A 515W 2V@250uA 1 N-channel TO-247-3 MOSFETs ROHS |
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $3.9956 | $ 3.9956 |
| 10+ | $3.4665 | $ 34.6650 |
| 30+ | $3.1440 | $ 94.3200 |
| 100+ | $2.8739 | $ 287.3900 |
Recommandé Pour Vous
Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Fiche Technique | onsemi HUF75652G3 | |
| RoHS | ||
| RDS (on) | 8mΩ@10V | |
| Température de fonctionnement | -55℃~+175℃ | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 630pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 515W | |
| Drain to Source Voltage | 100V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 75A | |
| Ciss-Input Capacitance | 7.585nF | |
| Gate Charge(Qg) | 475nC@20V |
Guide d’achat
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|---|---|---|
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| 10+ | $3.4665 | $ 34.6650 |
| 30+ | $3.1440 | $ 94.3200 |
| 100+ | $2.8739 | $ 287.3900 |
