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onsemi BUV21G
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | BUV21G |
| Référence EBEE | E8897795 |
| Boîtier | TO-204-2 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 200V 250W 20@12A,2V 40A NPN TO-204-2 Bipolar (BJT) ROHS |
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $36.3581 | $ 36.3581 |
| 200+ | $14.0703 | $ 2814.0600 |
| 500+ | $13.5762 | $ 6788.1000 |
| 1000+ | $13.3318 | $ 13331.8000 |
Recommandé Pour Vous
Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Single Bipolar Transistors | |
| Fiche Technique | onsemi BUV21G | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -65℃~+200℃@(Tj) | |
| Courant du collecteur (Ic) | 40A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 250W | |
| Courant de découpage de collectionneur (Icbo) | 3mA | |
| Tension de rupture collector-émetteur (Vceo) | 200V | |
| Gain de courant continu (hFE-Ic,Vce) | 20@12A,2V | |
| Fréquence de transition (fT) | 8MHz | |
| Tension de saturation des émetteurs de collection (VCE(sat)-Ic,Ib) | 1.5V@3A,25A | |
| Type de transistor | NPN |
Guide d’achat
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $36.3581 | $ 36.3581 |
| 200+ | $14.0703 | $ 2814.0600 |
| 500+ | $13.5762 | $ 6788.1000 |
| 1000+ | $13.3318 | $ 13331.8000 |
