| Fabricant | |
| Référence Fabricant | BC640TA |
| Référence EBEE | E8258162 |
| Boîtier | TO-92-3 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 80V 1W 25@5mA,2V 1A PNP TO-92-3 Bipolar (BJT) ROHS |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 5+ | $0.2554 | $ 1.2770 |
| 50+ | $0.2100 | $ 10.5000 |
| 150+ | $0.1906 | $ 28.5900 |
| 500+ | $0.1662 | $ 83.1000 |
| 2000+ | $0.1444 | $ 288.8000 |
| 4000+ | $0.1380 | $ 552.0000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Single Bipolar Transistors | |
| Fiche Technique | onsemi BC640TA | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -150℃~+150℃ | |
| Courant du collecteur (Ic) | 1A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 1W | |
| Courant de découpage de collectionneur (Icbo) | 100nA | |
| Tension de rupture collector-émetteur (Vceo) | 80V | |
| Gain de courant continu (hFE-Ic,Vce) | 25@5mA,2V | |
| Fréquence de transition (fT) | 100MHz | |
| Tension de saturation des émetteurs de collection (VCE(sat)-Ic,Ib) | 500mV@500mA,50mA | |
| Type de transistor | PNP |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 5+ | $0.2554 | $ 1.2770 |
| 50+ | $0.2100 | $ 10.5000 |
| 150+ | $0.1906 | $ 28.5900 |
| 500+ | $0.1662 | $ 83.1000 |
| 2000+ | $0.1444 | $ 288.8000 |
| 4000+ | $0.1380 | $ 552.0000 |
