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onsemi BAS19LT1G
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | BAS19LT1G |
| Référence EBEE | E8232582 |
| Boîtier | SOT-23 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 120V Independent Type 1V@100mA 50ns 200mA SOT-23 Switching Diodes ROHS |
Ces matériaux prennent en charge les câbles personnalisés !
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 20+ | $0.0140 | $ 0.2800 |
| 200+ | $0.0108 | $ 2.1600 |
| 600+ | $0.0090 | $ 5.4000 |
| 3000+ | $0.0079 | $ 23.7000 |
| 9000+ | $0.0069 | $ 62.1000 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Diodes ,Switching Diodes | |
| Fiche Technique | onsemi BAS19LT1G | |
| RoHS | ||
| Reverse Leakage Current (Ir) | 100nA@100V | |
| Diode Configuration | Independent | |
| Reverse Recovery Time (trr) | 50ns | |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 120V | |
| Voltage - Forward(Vf@If) | 1V@100mA | |
| Current - Rectified | 200mA | |
| Pd - Power Dissipation | 225mW | |
| Non-Repetitive Peak Forward Surge Current | 2A | |
| Operating Junction Temperature Range | -55℃~+150℃@(Tj) |
Guide d’achat
Développer
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