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onsemi 2SD1815S-E
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | 2SD1815S-E |
| Référence EBEE | E8898367 |
| Boîtier | TO-251 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 100V 20W 140@500mA,5V 3A NPN TO-251 Bipolar (BJT) ROHS |
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $0.2874 | $ 0.2874 |
| 200+ | $0.1112 | $ 22.2400 |
| 500+ | $0.1073 | $ 53.6500 |
| 1000+ | $0.1055 | $ 105.5000 |
Recommandé Pour Vous
Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Single Bipolar Transistors | |
| Fiche Technique | onsemi 2SD1815S-E | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | - | |
| Courant du collecteur (Ic) | 3A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 20W | |
| Courant de découpage de collectionneur (Icbo) | 1uA | |
| Tension de rupture collector-émetteur (Vceo) | 100V | |
| Gain de courant continu (hFE-Ic,Vce) | 140@500mA,5V | |
| Fréquence de transition (fT) | 180MHz | |
| Tension de saturation des émetteurs de collection (VCE(sat)-Ic,Ib) | [email protected],150mA | |
| Type de transistor | NPN |
Guide d’achat
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $0.2874 | $ 0.2874 |
| 200+ | $0.1112 | $ 22.2400 |
| 500+ | $0.1073 | $ 53.6500 |
| 1000+ | $0.1055 | $ 105.5000 |
