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onsemi 2SD1047P-E
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | 2SD1047P-E |
| Référence EBEE | E83201303 |
| Boîtier | TO-3PB |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 140V 120W 100@1A,5V 12A NPN TO-3PB Bipolar (BJT) ROHS |
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $4.4681 | $ 4.4681 |
| 200+ | $1.7301 | $ 346.0200 |
| 500+ | $1.6680 | $ 834.0000 |
| 1000+ | $1.6378 | $ 1637.8000 |
Recommandé Pour Vous
Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Single Bipolar Transistors | |
| Fiche Technique | onsemi 2SD1047P-E | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | - | |
| Courant du collecteur (Ic) | 12A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 120W | |
| Courant de découpage de collectionneur (Icbo) | 100uA | |
| Tension de rupture collector-émetteur (Vceo) | 140V | |
| Gain de courant continu (hFE-Ic,Vce) | 100@1A,5V | |
| Fréquence de transition (fT) | 15MHz | |
| Tension de saturation des émetteurs de collection (VCE(sat)-Ic,Ib) | 2.5V@5A,500mA | |
| Type de transistor | NPN |
Guide d’achat
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $4.4681 | $ 4.4681 |
| 200+ | $1.7301 | $ 346.0200 |
| 500+ | $1.6680 | $ 834.0000 |
| 1000+ | $1.6378 | $ 1637.8000 |
