Recommonended For You
Les images sont à titre indicatif uniquement
Ajouter aux favoris
onsemi 2SC4135T-E
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | 2SC4135T-E |
| Référence EBEE | E8898357 |
| Boîtier | TO-251 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 100V 15W 200@100mA,5V 2A NPN TO-251 Bipolar (BJT) ROHS |
Ces matériaux prennent en charge les câbles personnalisés !
En savoir plus >>En stock : Veuillez vous renseigner
Veuillez envoyer un RFQ, nous répondrons immédiatement.
Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $0.4626 | $ 0.4626 |
| 200+ | $0.1791 | $ 35.8200 |
| 500+ | $0.1727 | $ 86.3500 |
| 1000+ | $0.1696 | $ 169.6000 |
Recommandé Pour Vous
Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Single Bipolar Transistors | |
| Fiche Technique | onsemi 2SC4135T-E | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | - | |
| Courant du collecteur (Ic) | 2A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 15W | |
| Courant de découpage de collectionneur (Icbo) | 100nA | |
| Tension de rupture collector-émetteur (Vceo) | 100V | |
| Gain de courant continu (hFE-Ic,Vce) | 200@100mA,5V | |
| Fréquence de transition (fT) | 120MHz | |
| Tension de saturation des émetteurs de collection (VCE(sat)-Ic,Ib) | 130mV@1A,100mA | |
| Type de transistor | NPN |
Guide d’achat
Développer
En stock : Veuillez vous renseigner
Veuillez envoyer un RFQ, nous répondrons immédiatement.
Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $0.4626 | $ 0.4626 |
| 200+ | $0.1791 | $ 35.8200 |
| 500+ | $0.1727 | $ 86.3500 |
| 1000+ | $0.1696 | $ 169.6000 |
