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onsemi 2SB1202S-E
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | 2SB1202S-E |
| Référence EBEE | E8898344 |
| Boîtier | TO-251-3 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 50V 15W 140@100mA,2V 3A NPN TO-251-3 Bipolar (BJT) ROHS |
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $0.2016 | $ 0.2016 |
| 200+ | $0.0781 | $ 15.6200 |
| 500+ | $0.0753 | $ 37.6500 |
| 1000+ | $0.0739 | $ 73.9000 |
Recommandé Pour Vous
Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Single Bipolar Transistors | |
| Fiche Technique | onsemi 2SB1202S-E | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | - | |
| Courant du collecteur (Ic) | 3A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 15W | |
| Courant de découpage de collectionneur (Icbo) | 1uA | |
| Tension de rupture collector-émetteur (Vceo) | 50V | |
| Gain de courant continu (hFE-Ic,Vce) | 140@100mA,2V | |
| Fréquence de transition (fT) | 150MHz | |
| Tension de saturation des émetteurs de collection (VCE(sat)-Ic,Ib) | 190mV@2A,100mA | |
| Type de transistor | NPN |
Guide d’achat
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $0.2016 | $ 0.2016 |
| 200+ | $0.0781 | $ 15.6200 |
| 500+ | $0.0753 | $ 37.6500 |
| 1000+ | $0.0739 | $ 73.9000 |
