Recommonended For You
Les images sont à titre indicatif uniquement
Ajouter aux favoris
onsemi 2SA2169-E
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | 2SA2169-E |
| Référence EBEE | E8898342 |
| Boîtier | TO-251-3 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 50V 20W 200@1A,2V 10A PNP TO-251-3 Bipolar (BJT) ROHS |
Ces matériaux prennent en charge les câbles personnalisés !
En savoir plus >>En stock : Veuillez vous renseigner
Veuillez envoyer un RFQ, nous répondrons immédiatement.
Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $0.2402 | $ 0.2402 |
| 10+ | $0.1945 | $ 1.9450 |
| 30+ | $0.1748 | $ 5.2440 |
| 100+ | $0.1503 | $ 15.0300 |
| 500+ | $0.1394 | $ 69.7000 |
| 1000+ | $0.1328 | $ 132.8000 |
Recommandé Pour Vous
Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Single Bipolar Transistors | |
| Fiche Technique | onsemi 2SA2169-E | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | - | |
| Courant du collecteur (Ic) | 10A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 20W | |
| Courant de découpage de collectionneur (Icbo) | 10uA | |
| Tension de rupture collector-émetteur (Vceo) | 50V | |
| Gain de courant continu (hFE-Ic,Vce) | 200@1A,2V | |
| Fréquence de transition (fT) | 200MHz | |
| Tension de saturation des émetteurs de collection (VCE(sat)-Ic,Ib) | 180mV@5A,250mA | |
| Type de transistor | PNP |
Guide d’achat
Développer
En stock : Veuillez vous renseigner
Veuillez envoyer un RFQ, nous répondrons immédiatement.
Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $0.2402 | $ 0.2402 |
| 10+ | $0.1945 | $ 1.9450 |
| 30+ | $0.1748 | $ 5.2440 |
| 100+ | $0.1503 | $ 15.0300 |
| 500+ | $0.1394 | $ 69.7000 |
| 1000+ | $0.1328 | $ 132.8000 |
