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onsemi 2SA2012-TD-E
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | 2SA2012-TD-E |
| Référence EBEE | E8898913 |
| Boîtier | SOT-89-3 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 30V 3.5W 200@500mA,2V 5A PNP SOT-89-3 Bipolar (BJT) ROHS |
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $0.3977 | $ 0.3977 |
| 200+ | $0.1539 | $ 30.7800 |
| 500+ | $0.1485 | $ 74.2500 |
| 1000+ | $0.1458 | $ 145.8000 |
Recommandé Pour Vous
Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Single Bipolar Transistors | |
| Fiche Technique | onsemi 2SA2012-TD-E | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | - | |
| Courant du collecteur (Ic) | 5A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 3.5W | |
| Courant de découpage de collectionneur (Icbo) | 100nA | |
| Tension de rupture collector-émetteur (Vceo) | 30V | |
| Gain de courant continu (hFE-Ic,Vce) | 200@500mA,2V | |
| Fréquence de transition (fT) | 350MHz | |
| Tension de saturation des émetteurs de collection (VCE(sat)-Ic,Ib) | [email protected],125mA | |
| Type de transistor | PNP |
Guide d’achat
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $0.3977 | $ 0.3977 |
| 200+ | $0.1539 | $ 30.7800 |
| 500+ | $0.1485 | $ 74.2500 |
| 1000+ | $0.1458 | $ 145.8000 |
