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onsemi 1N4448TR
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | 1N4448TR |
| Référence EBEE | E8258171 |
| Boîtier | DO-35 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 100V 1V@100mA 4ns 200mA DO-35 Switching Diodes ROHS |
Ces matériaux prennent en charge les câbles personnalisés !
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
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|---|---|---|
| 20+ | $0.0208 | $ 0.4160 |
| 200+ | $0.0164 | $ 3.2800 |
| 600+ | $0.0140 | $ 8.4000 |
| 2000+ | $0.0125 | $ 25.0000 |
| 10000+ | $0.0113 | $ 113.0000 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Diodes ,Switching Diodes | |
| Fiche Technique | onsemi 1N4448TR | |
| RoHS | ||
| Reverse Leakage Current (Ir) | 5uA@75V | |
| Diode Configuration | - | |
| Reverse Recovery Time (trr) | 4ns | |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V | |
| Voltage - Forward(Vf@If) | 1V@100mA | |
| Current - Rectified | 200mA | |
| Pd - Power Dissipation | 500mW | |
| Non-Repetitive Peak Forward Surge Current | 4A | |
| Operating Junction Temperature Range | -55℃~+175℃@(Tj) |
Guide d’achat
Développer
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| 200+ | $0.0164 | $ 3.2800 |
| 600+ | $0.0140 | $ 8.4000 |
| 2000+ | $0.0125 | $ 25.0000 |
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