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NXP Semicon BC856B/DG/B3235
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | BC856B/DG/B3235 |
| Référence EBEE | E83201064 |
| Boîtier | TO-236AB |
| Numéro Client | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 65V 250mW 125@2mA,5V 100mA PNP TO-236AB Bipolar (BJT) ROHS |
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $0.0608 | $ 0.0608 |
| 200+ | $0.0236 | $ 4.7200 |
| 500+ | $0.0228 | $ 11.4000 |
| 1000+ | $0.0223 | $ 22.3000 |
Recommandé Pour Vous
Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,Bipolaire (BJT) | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | - | |
| Courant du collecteur (Ic) | 100mA | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 250mW | |
| Courant de découpage de collectionneur (Icbo) | 15nA | |
| Tension de rupture collector-émetteur (Vceo) | 65V | |
| Gain de courant continu (hFE-Ic,Vce) | 125@2mA,5V | |
| Fréquence de transition (fT) | 100MHz | |
| Tension de saturation des émetteurs de collection (VCE(sat)-Ic,Ib) | 650mV@100mA,5mA | |
| Type de transistor | PNP |
Guide d’achat
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $0.0608 | $ 0.0608 |
| 200+ | $0.0236 | $ 4.7200 |
| 500+ | $0.0228 | $ 11.4000 |
| 1000+ | $0.0223 | $ 22.3000 |
