| Fabricant | |
| Référence Fabricant | TIP33B |
| Référence EBEE | E86284529 |
| Boîtier | TO-218 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 80V 80W 100@3A,4V 10A NPN TO-218 Bipolar (BJT) ROHS |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $4.3531 | $ 4.3531 |
| 200+ | $1.7374 | $ 347.4800 |
| 500+ | $1.6799 | $ 839.9500 |
| 1000+ | $1.6503 | $ 1650.3000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Single Bipolar Transistors | |
| Fiche Technique | NTE Electronics TIP33B | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -65℃~+150℃@(Tj) | |
| Courant du collecteur (Ic) | 10A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 80W | |
| Tension de rupture collector-émetteur (Vceo) | 80V | |
| Gain de courant continu (hFE-Ic,Vce) | 100@3A,4V | |
| Fréquence de transition (fT) | 3MHz | |
| Type de transistor | NPN |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $4.3531 | $ 4.3531 |
| 200+ | $1.7374 | $ 347.4800 |
| 500+ | $1.6799 | $ 839.9500 |
| 1000+ | $1.6503 | $ 1650.3000 |
