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NTE ELECTRONICS, INC. TIP33B


Fabricant
Référence Fabricant
TIP33B
Référence EBEE
E86284529
Boîtier
TO-218
Numéro Client
Fiche Technique
Modèles EDA
ECCN
EAR99
Description
80V 80W 100@3A,4V 10A NPN TO-218 Bipolar (BJT) ROHS
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
Qté.Prix unitairePrix total
1+$4.3531$ 4.3531
200+$1.7374$ 347.4800
500+$1.6799$ 839.9500
1000+$1.6503$ 1650.3000
TypeDescription
Tout sélectionner
CatégorieDiscrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Single Bipolar Transistors
Fiche TechniqueNTE Electronics TIP33B
RoHS
Température de fonctionnement-65℃~+150℃@(Tj)
Courant du collecteur (Ic)10A
Dissipation de puissance (Pd)80W
Tension de rupture collector-émetteur (Vceo)80V
Gain de courant continu (hFE-Ic,Vce)100@3A,4V
Fréquence de transition (fT)3MHz
Type de transistorNPN

Guide d’achat

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