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NTE ELECTRONICS, INC. NTE87
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | NTE87 |
| Référence EBEE | E86721468 |
| Boîtier | TO-3 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 250V 200W 20@2A,2V 10A NPN TO-3 Bipolar (BJT) ROHS |
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $25.7452 | $ 25.7452 |
| 200+ | $10.2723 | $ 2054.4600 |
| 500+ | $9.9290 | $ 4964.5000 |
| 1000+ | $9.7599 | $ 9759.9000 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Single Bipolar Transistors | |
| Fiche Technique | NTE Electronics NTE87 | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -65℃~+200℃@(Tj) | |
| Courant du collecteur (Ic) | 10A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 200W | |
| Courant de découpage de collectionneur (Icbo) | 1mA | |
| Tension de rupture collector-émetteur (Vceo) | 250V | |
| Gain de courant continu (hFE-Ic,Vce) | 20@2A,2V | |
| Fréquence de transition (fT) | 4MHz | |
| Tension de saturation des émetteurs de collection (VCE(sat)-Ic,Ib) | 2.5V@400mA,4A | |
| Type de transistor | NPN |
Guide d’achat
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $25.7452 | $ 25.7452 |
| 200+ | $10.2723 | $ 2054.4600 |
| 500+ | $9.9290 | $ 4964.5000 |
| 1000+ | $9.7599 | $ 9759.9000 |
