| Fabricant | |
| Référence Fabricant | NTE75 |
| Référence EBEE | E86721465 |
| Boîtier | TO-111 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 80V 2W 40@50mA,5V 5A NPN TO-111 Bipolar (BJT) ROHS |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $83.8059 | $ 83.8059 |
| 200+ | $33.4398 | $ 6687.9600 |
| 500+ | $32.3226 | $ 16161.3000 |
| 1000+ | $31.7701 | $ 31770.1000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Single Bipolar Transistors | |
| Fiche Technique | NTE Electronics NTE75 | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -65℃~+200℃ | |
| Courant du collecteur (Ic) | 5A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 2W | |
| Courant de découpage de collectionneur (Icbo) | 100uA | |
| Tension de rupture collector-émetteur (Vceo) | 80V | |
| Gain de courant continu (hFE-Ic,Vce) | 40@50mA,5V | |
| Fréquence de transition (fT) | 120MHz | |
| Tension de saturation des émetteurs de collection (VCE(sat)-Ic,Ib) | 1.5V@500mA,5A | |
| Type de transistor | NPN |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $83.8059 | $ 83.8059 |
| 200+ | $33.4398 | $ 6687.9600 |
| 500+ | $32.3226 | $ 16161.3000 |
| 1000+ | $31.7701 | $ 31770.1000 |
