| Fabricant | |
| Référence Fabricant | NTE58 |
| Référence EBEE | E86345882 |
| Boîtier | SIP-3 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 200V 200W 20@8A,4V 17A NPN SIP-3 Bipolar (BJT) ROHS |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $30.1371 | $ 30.1371 |
| 200+ | $12.0256 | $ 2405.1200 |
| 500+ | $11.6231 | $ 5811.5500 |
| 1000+ | $11.4243 | $ 11424.3000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Single Bipolar Transistors | |
| Fiche Technique | NTE Electronics NTE58 | |
| RoHS | ||
| Courant du collecteur (Ic) | 17A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 200W | |
| Courant de découpage de collectionneur (Icbo) | 100uA | |
| Tension de rupture collector-émetteur (Vceo) | 200V | |
| Gain de courant continu (hFE-Ic,Vce) | 20@8A,4V | |
| Fréquence de transition (fT) | 20MHz | |
| Tension de saturation des émetteurs de collection (VCE(sat)-Ic,Ib) | 2.5V@1A,10A | |
| Type de transistor | NPN |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $30.1371 | $ 30.1371 |
| 200+ | $12.0256 | $ 2405.1200 |
| 500+ | $11.6231 | $ 5811.5500 |
| 1000+ | $11.4243 | $ 11424.3000 |
