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NTE ELECTRONICS, INC. NTE38
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | NTE38 |
| Référence EBEE | E86943820 |
| Boîtier | TO-66 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 350V 35W 10@1A,4V 2A PNP TO-66 Bipolar (BJT) ROHS |
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $46.8233 | $ 46.8233 |
| 200+ | $18.6837 | $ 3736.7400 |
| 500+ | $18.0598 | $ 9029.9000 |
| 1000+ | $17.7513 | $ 17751.3000 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Single Bipolar Transistors | |
| Fiche Technique | NTE Electronics NTE38 | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -65℃~+200℃@(Tj) | |
| Courant du collecteur (Ic) | 2A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 35W | |
| Courant de découpage de collectionneur (Icbo) | 5mA | |
| Tension de rupture collector-émetteur (Vceo) | 350V | |
| Gain de courant continu (hFE-Ic,Vce) | 10@1A,4V | |
| Fréquence de transition (fT) | 20MHz | |
| Tension de saturation des émetteurs de collection (VCE(sat)-Ic,Ib) | 2V@125mA,1A | |
| Type de transistor | PNP |
Guide d’achat
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $46.8233 | $ 46.8233 |
| 200+ | $18.6837 | $ 3736.7400 |
| 500+ | $18.0598 | $ 9029.9000 |
| 1000+ | $17.7513 | $ 17751.3000 |
