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NTE ELECTRONICS, INC. NTE255
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | NTE255 |
| Référence EBEE | E86622528 |
| Boîtier | TO-237 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 300V 850mW 30@100mA,10V 500mA NPN TO-237 Bipolar (BJT) ROHS |
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $6.7883 | $ 6.7883 |
| 200+ | $2.7102 | $ 542.0400 |
| 500+ | $2.6196 | $ 1309.8000 |
| 1000+ | $2.5743 | $ 2574.3000 |
Recommandé Pour Vous
Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Single Bipolar Transistors | |
| Fiche Technique | NTE Electronics NTE255 | |
| RoHS | ||
| Courant du collecteur (Ic) | 500mA | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 850mW | |
| Courant de découpage de collectionneur (Icbo) | 1uA | |
| Tension de rupture collector-émetteur (Vceo) | 300V | |
| Gain de courant continu (hFE-Ic,Vce) | 30@100mA,10V | |
| Fréquence de transition (fT) | 300MHz | |
| Tension de saturation des émetteurs de collection (VCE(sat)-Ic,Ib) | 500mV@10mA,100mA | |
| Type de transistor | NPN |
Guide d’achat
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $6.7883 | $ 6.7883 |
| 200+ | $2.7102 | $ 542.0400 |
| 500+ | $2.6196 | $ 1309.8000 |
| 1000+ | $2.5743 | $ 2574.3000 |
