| Fabricant | |
| Référence Fabricant | NTE2322 |
| Référence EBEE | E86943681 |
| Boîtier | DIP-14 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 40V 650mW 100@150mA,10V 600mA PNP DIP-14 Bipolar (BJT) ROHS |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $13.6717 | $ 13.6717 |
| 200+ | $5.4565 | $ 1091.3000 |
| 500+ | $5.2736 | $ 2636.8000 |
| 1000+ | $5.1829 | $ 5182.9000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Single Bipolar Transistors | |
| Fiche Technique | NTE Electronics NTE2322 | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -55℃~+125℃@(Tj) | |
| Courant du collecteur (Ic) | 600mA | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 650mW | |
| Courant de découpage de collectionneur (Icbo) | 50nA | |
| Tension de rupture collector-émetteur (Vceo) | 40V | |
| Gain de courant continu (hFE-Ic,Vce) | 100@150mA,10V | |
| Fréquence de transition (fT) | 200MHz | |
| Tension de saturation des émetteurs de collection (VCE(sat)-Ic,Ib) | 1.6V@30mA,300mA | |
| Type de transistor | PNP |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $13.6717 | $ 13.6717 |
| 200+ | $5.4565 | $ 1091.3000 |
| 500+ | $5.2736 | $ 2636.8000 |
| 1000+ | $5.1829 | $ 5182.9000 |
